（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V 1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge： 0V 4）集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat：0.2-5V 栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE： 100-5000V±3% 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集电极电流ICE： 30mA±3% 7）二极管压降测试 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。