（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge： 0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE： 100-5000V±3%集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE： 0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE： 30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1***ge： 0V

开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1，封装用IGBT测试仪批发，并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，封装用IGBT测试仪现货供应，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，山西封装用IGBT测试仪，后显示测试结果。

7质量保证要求?卖方应通过ISO 9001质量论证。?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，封装用IGBT测试仪价格，以确保出厂测试的参数真实有效。?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。

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