测试参数多且完整、应用领域更广泛，轨道交通用IGBT测试仪加工，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量，云南轨道交通用IGBT测试仪，避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，轨道交通用IGBT测试仪批发，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge： 0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE： 100-5000V±3%集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE： 0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE： 30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1***ge： 0V

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