测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15V～ 15V±3%，分辨率±0.1V 2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求

其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。安全技术要求：满足GB19517—2009***电气设备安全技术规范。

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%