1、真空镀膜工艺在信息存储范畴中的运用薄膜资料作为信息记载于存储介质，有其得天独厚的优势：因为薄膜很薄能够疏忽涡流损耗；磁化回转极为敏捷；与膜面平行的双稳态状况简单保持等。为了更精细地记载与存储信息，必定要选用镀膜技能。

2、真空镀膜工艺在传感器方面的运用在传感器中，多选用那些电气性质相关于物理量、化学量及其变化来说，极为敏感的半导体资料。此外，其中大多数运用的是半导体的外表、界面的性质，需求尽量增大其面积，且能工业化、低报价制造、因而选用薄膜的状况许多。

涂层技术

增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。

过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA)配有的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒，因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。

CVD 制备铱高温涂层人们之所以对作涂层材料感兴趣是由于这类金属优良的性能 。铱具有较强的能力和较高的熔点而受到重视, 是一种较理想的高温涂层材料 。

20 世纪 60 年代以来, 世界航空航天技术飞速发展,一些高熔点材料(如石墨碳和钨钼钽铌等难熔金属)被大量使用,但这些材料的一个共同的致命缺点是能力差。

60 年代美国材料实验室(AFML)对石墨碳的铱保护涂层进行过大量的研究, 采用了多种成型方法制备铱涂层 ,其中包括化学气相沉积法 。虽然没有制备出质量令人满意的厚铱涂层, 但仍认为 CVD 是一种非常有希望且值得进一步研究的方法。

金属钯及其合金具有很强的氢气吸附能力和特殊的选择渗透能力, 是理想的氢气储存和净化材料 。目前, 通常使用整体钯合金或镀钯等方法制造氢净化设备。近年来 ,有研究者尝试采用化学气相沉积法制备钯的薄膜或薄层材料 , 他们选用分解温度很低的金属有机化合物作为沉积钯的源物质, 他们是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化学气相沉积法可以制备高纯度的钯薄膜 。