离子镀，是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质离子化，在气体离子或蒸发物质离子轰击作用下，把蒸发物质或其反应物蒸镀在工件上。离子镀把辉光放电、等离子技术与真空蒸镀技术结合在一起，不仅明显地提高了镀层的各种性能，而且，大大扩充了镀膜技术的应用范围。

离子镀除兼有真空溅射的优点外，还具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。例如，利用离子镀技术可以在金属、塑料、陶瓷、玻璃、纸张等非金属材料上，涂覆具有不同性能的单一镀层、合金镀层、化合物镀层及各种复合镀层，而且沉积速度快（可达755m/min），镀前清洗工序简单，对环境无污染，因此，近年来在国内外得到了迅速的发展。

CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部***恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。

关于溅射工艺，在使用磁控溅射工艺的同时施加几种材料的精细层。该真空镀膜工艺的原材料采用靶材的形式。在溅射过程中，将磁控管放置在靶材附近。然后，在真空室中引入惰性气体，该惰性气体通过沿磁控管的方向在靶和基板之间施加高电压而加速，从而从靶中释放出原子尺寸的颗粒。这些粒子是由于气体离子传递的动能而投射出来的，这些离子已经到达目标并到达基板并形成固体薄膜。该技术可以将表面上先前存在的污染物从表面上清除掉，这是通过反转基材和目标之间的电压极性