橡胶纳米镀膜设备PCVD技术具有沉积温度低，沉积速率快，绕镀性好，薄膜与基体结合强度好，设备操纵维护简单等优点，用PCVD法调节工艺参数方便灵活，轻易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构，沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等膜，同时，PCVD法还拓展了新的低温沉积领域，例如，用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制备纳米陶瓷薄膜的特点是：产品的杨氏模量、抗压强度和硬度都很高，耐磨性好，化学性能稳定，性和腐蚀性好，有较高的高温强度。

金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。

物***相沉积（PVD）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能改善，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（CVD）结合使用，以延长其使用寿命，减少摩擦并改善热性能。然而，CVD工艺在较高的温度下进行，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，以优化PVD技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），改善靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。