离化PVD技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。

离化PVD过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。

蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化PVD 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 PECVD），促使沉积粒子离化，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。

CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部***恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

关于PVD工艺，常见的气态表面涂覆方法是蒸发和溅射。这些技术允许在非常低的压力下从目标中提取颗粒，然后将其沉积并沉积到基板上。

蒸发过程中使用的反应器需要高真空压力值。通常，这些特征和参数具有较低的原子能和较少的气体吸附到涂层沉积物中。结果，与溅射技术相比，具有较大晶粒的颗粒的转移导致公认的较小的颗粒对基底的粘附性。在沉积过程中，一些污染物颗粒从熔化的涂料中释放出来并移动到基材上，从而降低了所得涂层的纯度。因此，尽管与溅射工艺相比，该技术具有更高的沉积速率，但是蒸发工艺通常用于具有较低表面形态要求的较厚的薄膜和涂层。