溅射镀膜

溅射镀膜，是不采用蒸发技术的物***相沉积方法。施镀时，将工作室抽成真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33Pa，以沉积物质作为靶（阴极）并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压（-30-100v）。加热灯丝至1700℃左右时，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，新北纳米镀膜设备，产生出氢离子H ，H 被加速轰击靶材，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。

溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用TiC作靶材，便可以在工件上直接沉积TiC涂层。当然，也可以用金属Ti作靶，再导入反应气体，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。

若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，电子纳米镀膜设备，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。

随着市场和研究人员的要求，随着基于传统工艺的新系统的出现，新的涂料性能得到了发展。即使通过蒸发工艺获得的沉积速率是理想的，但事实是，金属纳米镀膜设备，溅射沉积技术在质量和沉积速率方面取得了无疑的进步，响应了对此领域感兴趣的行业和研究人员的需求，甚至用作中间层，用于通过化学气相沉积（CVD）获得的其他涂层。

CVD是另一种在真空下沉积的方法，并且是使待沉积材料中的挥发性化合物与其他气体发生化学反应的过程，以产生沉积在基材上的非挥发性固体。

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