溅射镀膜

溅射镀膜，台湾真空镀膜设备，是不采用蒸发技术的物***相沉积方法。施镀时，将工作室抽成真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33Pa，以沉积物质作为靶（阴极）并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压（-30-100v）。加热灯丝至1700℃左右时，五金真空镀膜设备，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，产生出氢离子H ，H 被加速轰击靶材，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。

溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用TiC作靶材，便可以在工件上直接沉积TiC涂层。当然，也可以用金属Ti作靶，再导入反应气体，五金配件真空镀膜设备，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。

真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，硅胶真空镀膜设备，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。

真空镀膜机工作的环境要求：

真空镀膜设备要在真空条件下工作，因此该设备要满足真空对环境的要求。真空对环境的要求，一般包括真空设备对所处实验室（或车间）的温度、空气中的微粒等周围环境的要求，和对处于真空状态或真空中的零件或表面要求两个方面。

真空镀膜设备

以下是制备的必要条件：

① 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；

② 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；

③ 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

CVD技术是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂·层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域，其工艺成本具体而定。

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