PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，真空镀膜设备厂，又包括等离子体化学反应过程。

气相沉积主要分为两大类：

化学气相沉积(，简称CVD)；

物***相沉积(，简称PVD)。

，人们利用易挥发的液体TiCI稍加热获得TiCI气体和NH气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成TiN和HCI，真空光学镀膜设备，HCi被抽走，TiN沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，镀膜设备，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，称为化学气相沉积(，CVD)。

有时将此方法用作预涂层，汽车镀膜设备，目的是提高基材的耐久性，减少摩擦并改善热性能-这意味着人们可以在同一涂层中结合PVD和CVD层等沉积方法。

在数学建模和数值模拟方面也有大量研究有助于改善此过程，这可能是优于其他过程的优势。这些研究对改善反应堆的特性有很大的影响，从而导致未来的成本降低，以及对薄膜机械性能的改善。

由于磁控溅射技术的发展将集中在未来对这些特定反应器的改进上，因此这项工作已成为主要***。

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