化学气相沉积的特点

化学气相沉积工艺是，将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛（真空度≤1Pa）中，使气体与模具表面发生反应，在模具表面上生成一层薄的固相沉积物，如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素：

一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，也就是说，各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。

二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下，产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件，在有些情况下，可以采用等离子体或激光辅助作为条件，降低沉积反应的温度。

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PCVD工艺具有广泛的用途。

（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，台湾纳米镀膜设备，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4 H2用PCVD法来形成Si3N4，金属配件纳米镀膜设备，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。

对于需要更高的表面形态质量的应用（对于粗糙度，晶粒尺寸，汽车纳米镀膜设备，化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用），溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材（聚合物）熔化温度的降低而产生的应力，沉积过程对某些应用提出了温度限制。这导致溅射工艺在PVD沉积技术中变得更加重要，同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现，以满足不断增长的市场需求。

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