同时，人们把另一类气相沉积，即通过高温加热金属或金属化合物蒸发成气相，或者通过电子、等离子体、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)，称为物***相沉积PVD)。

随着气相沉积技术的发展和应用，上述两类型气相沉积各自都有新的技术内容，两者相互交叉，你中有我，我中有你，镀膜设备，致使难以严格分清是化学的还是物理的。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

当考虑电子束蒸发技术时，批发真空镀膜设备，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，真空镀膜设备多少钱，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，该粒子插入反应器中，真空镀膜设备厂家，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置更强。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力

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