多弧离子PVD镀膜设备　　

腔体结构： 立式前开门，卧式前开门，后置真空获得系统　　

材质用料： 腔体采用SUS304不锈钢材质　　

离子弧源： 依据设备大小不同配备多套弧电源系统　　

偏压电源： 配备大功率单级脉冲偏压电源　　

多弧靶材： 标配多套钛靶或不锈钢靶材　　

转动系统： 变频调速，公自转结合，可采用上传动或下传动方式　　

真空系统（装饰镀膜设备Decorative coating）：扩散泵（可选分子泵） 罗茨泵 机械泵 维持泵 深冷系统（可选）

溅射镀膜

溅射镀膜，是不采用蒸发技术的物***相沉积方法。施镀时，将工作室抽成真空，充入氢气作为工作气体，并保持其压力为0.13-1.33Pa，以沉积物质作为靶（阴极）并加上数百至数千伏的负压，以工件为阳极，两侧灯丝带负压（-30-100v）。加热灯丝至1700℃左右时，灯丝发射出的电子使氢气发生辉光放电，产生出氢离子H ，H 被加速轰击靶材，使靶材迸发出原子或分子溅射到工件表面上，形成沉积层。

溅射法可用于沉积各种导电材料，包括高熔点金属及化合物。如果用TiC作靶材，便可以在工件上直接沉积TiC涂层。当然，也可以用金属Ti作靶，再导入反应气体，进行反应性溅射，溅射涂层均匀但沉积速度慢，不适于沉积105mm以上厚度的涂层。溅射可使基体温度升高到500-600℃，因此，只适用于在此温度下具有二次硬化的钢制模具加工。

磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。

离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至。

PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。