多弧离子PVD镀膜设备　　

腔体结构： 立式前开门，卧式前开门，后置真空获得系统　　

材质用料： 腔体采用SUS304不锈钢材质　　

离子弧源： 依据设备大小不同配备多套弧电源系统　　

偏压电源： 配备大功率单级脉冲偏压电源　　

多弧靶材： 标配多套钛靶或不锈钢靶材　　

转动系统： 变频调速，公自转结合，可采用上传动或下传动方式　　

真空系统（装饰镀膜设备Decorative coating）：扩散泵（可选分子泵） 罗茨泵 机械泵 维持泵 深冷系统（可选）

化学气相沉积TiN

将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，则在工件表面上发生如下化学反应：

2TiCl4（气） N2（气） 4H2（气）→2TiN（固） 8HCl（气）

固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：

（1）氮氢比对TiN的影响

一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2lt;1/2时，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2gt;1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。

物***相沉积（PVD）工艺已经有100多年的历史了，等离子辅助PVD大约在80年前就申请了专利。术语“物***相沉积”仅在60年代出现。当时，需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺，例如溅射，真空，等离子体技术，磁场，气体化学，热蒸发，弓形和电源控制，如Powell的书中详细描述的。在过去的30年中，等离子辅助PVD（PAPVD）被分为几种不同的电源技术，例如直流（DC）二极管，三极管，射频（RF），脉冲等离子体，离子束辅助涂层等。，该过程在基本理解上存在一些困难，因此引入了必要的更改以提供好处，例如从涂层到基材的出色附着力，结构控制以及低温下的材料沉积。