接近式***:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙,Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10 倍以上),图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用较为广泛。
投影式***:在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现***。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率:掩膜板的制作更加容易:掩膜板上的缺陷影响减小。
***机一般根据操作的简便性分为三种,手动,半自动,全自动,光刻机又名:掩模对准***机,***系统,光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干,涂底,旋涂光刻胶,软烘,对准***,后烘,显影,硬烘,刻蚀等工序。
光刻意思是用光来制作一个图形(工艺),在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时放到硅片上的过程。
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