通常的薄膜电容器其制法是将铝等金属箔当成电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一起制成。
但是另外薄膜电容器又有一种制造法,叫做金属化薄膜(MetallizedFilm),其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。如此可以省去电极箔的厚度,缩小电容器单位容量的体积,贴片电容耐压,所以薄膜电容器较容易做成小型,容量大的电容器。
金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等,除了卷绕型之外,也有叠层型。
金属化薄膜电容器具有一种所谓的复原作用(SelfHealingAction),即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时、引起短路部份周围的电极金属,会因当时电容器所带的静电能量或短路电流。
而引发更大面积的溶融和蒸发而***绝缘,使电容器再度回复电容器的作用。
以上就是薄膜电容器的特性,随着技术水的发展,薄膜电容器的市场需求将进一步呈现快速增长的趋势。
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瓷片电容电磁兼容的问题常发生于高频状态下,个别问题(电压跌落与瞬时中断等)除外。
高频思维,总而言之,就是器件的特性、电路的特性,在高频情况下和常规中低频状态下是不一样的。
如果仍然按照普通的控制思维来判断分析,则会走入设计的误区。比如:
瓷片电容在中低频或直流情况下,就是一个储能组件,只表现为一个电容的特性,贴片电容规格,但在高频情况下,它就不仅仅是个电容了。
它有一个理想电容的特性,有漏电流(在高频等效电路上表现为R),有引线电感,还在导致电压脉冲波动情况下发热的ESR。
瓷片电容能帮我们设计师得出很多有益的设计思路。按照常规思路,1/2πfc是电容的容抗,应该是频率越高,容抗越小,滤波效果越好。
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去藕,贴片电容,又称解藕,从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大。
驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流。
由于电路中的电感,电阻这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。
这就是耦合,去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。
旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
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