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关于快充你不知道的事儿：

1.快充，基本上不能叫恒流，充电过程电流是不断变化的，ULBFR610超薄整流桥，整个充电过程是由手机端控制，根据容量，温度即时控制充电电流的大小。 一般先是从低容量的小电流慢慢充一小段时间，FMB30M超薄整流桥，然后是中段大电流快充，经过一段大电流充电过后容量达到90%后又转为小电流，随着充满程度，电流越来越小到0电流。

2.你不知道的是，电池上的芯片不叫管理芯片，叫保护芯片。那功能只是过压、欠压、过流保护作用，并没充电管理功能。 你理解上有很大的偏差。

3.手机快充简单来说，就是大电流充电罢了。充电电流越大，充电速度越快，所有黑科技都是为这个为这个核心服务，这就是快充技术。

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快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，超薄整流桥，同时由于更耐高压，大电流，ULBF810超薄整流桥，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。

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软桥和普通整流桥的区别

软桥相比于普通桥堆来讲，主要优势有四点：

1、改善低频传导特性

2、降低AC输入线杂散线路电感激励

3、***低频输入电压整流造成的高频波形

4、可减少输入滤波电路中的电管

ASEMI半导体大陆工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队，其中电子、机械、工程管理各类工程师及管理人才27人，他们将自己研发的20多项专利技术应用于肖特基二极管、桥式整流器和硅晶片生产线中取得良好效果。

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