PL3369B物联网芯片-PL3369B-ASEMI
作者:强元芯电子2020/4/28 6:53:35
PL3115B

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PL3115B的主要特性:

内置高集成度的功率MOSFET

/-5%恒压调节

全电压范围内精准的恒流调节

去除光耦和次级恒流恒压控制电路

内置高精度恒流调节的线电压补偿

内置变压器电感补偿

可编程的输出线补偿

可提***率的自适应多模式PWM/PFM控制

低启动电流

限流保护

内置前沿消隐

过压保护

良好的动态响应

欠压保护









PL3115B

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PL3115B 同时具有多种保护功能:逐周期峰值电流检测、欠压保护、过压保护等。PL3115B主要应用电动车专用,PL3369B物联网芯片,DC-DC功能IC,隔离,手机/无绳电话充电器、数码相机充电器、小功率电源适配器、消费类的备用电源等。



PL3115B的复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、***率。在恒流模式以及系统重载下,PL3369B电源IC厂家,芯片会工作在PFM模式,系统正常时,PL3369B摄像头ICP,PL3115B工作在PWM模式。这种绿色模式会大大提高系统的效率,PL3369B,同时能够节省能耗。








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PL3115B 是一款***率、高集成度、原边调节的 PWM 功率开关。PL3115B 通过去除光耦以及次级控制电路,简化了充电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计,从而实现高精度的电压和电流调节

复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、***率。内置的频率抖动可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 滤波成本,而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB 的面积以及系统的成本。






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