PL3332

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PL3332 可兼容支持断续工作模式、连续工作模式或准谐振工作模式的反激式转换器。

PL3332 内部集成 VDD 检测电路，系统上电完成前，功率管一直处于断开状态，副边电流流过功率 MOS的体二极管，直到 VDD 端电压超过芯片的启动阈值电压时，芯片开始正常工作。

内置13mΩ（@Vgs=10V，Id=6A）40V功率开关管。兼容DCM或QR反激开关。 自检测开通关断。简化外围器件。

PL3369

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PL3369 内置了多种保护功能，PL3369电源芯片目录，包括：逐周期限流保护，电源芯片目录，VDD 过压/欠压保护，输出开/短路保护，PL3394AE电源芯片目录，过温保护等。当 PL3369B 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片将不工作，同时会进入重启状态。

在不同的应用中，PL116A电源芯片目录，CS 端不同的采样电阻会得到不同的恒流点。输出功率的大小可通过调节 CS 端的采样电阻实现，采样电阻越大，恒流点越小，同时输出功率也越小。

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PL3115B的主要特性：

内置高集成度的功率MOSFET

/-5%恒压调节

全电压范围内精准的恒流调节

去除光耦和次级恒流恒压控制电路

内置高精度恒流调节的线电压补偿

内置变压器电感补偿

可编程的输出线补偿

可提***率的自适应多模式PWM/PFM控制

低启动电流

限流保护

内置前沿消隐

过压保护

良好的动态响应

欠压保护

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