化学蚀刻（Chemical etching）-- 气态物质（中性原子团）与表面反应， 产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。 等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定 能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后 能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE） 。 溅射蚀刻（Sputter etching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。 蚀刻速率（Etch rate）--材料的剥离速率，通常以?/min，玻璃面板定制，?/sec，电白面板定制，nm/min， um/min 为单位计 量。 各向同性蚀刻（ Isotropic etch）-- 蚀刻速率在所有方向都是相同的。
负载（Loading）-- 蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，可在宏观或微观尺寸下。 纵横比决定蚀刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。 终点（Endpoint）-- 在一个蚀刻过程中，亚克力面板定制，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。 光刻胶（Photo-resist）-- 作为掩膜用来图形转移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目标能形成影像的纵向距。 关键尺寸（Critical dimensi***-CD）-- 一个特征图形的尺寸，包括线宽、间隙、或者 关联尺寸。
对于优良侧面效果的制造方式﹐外界均有不同的理论、 设计方式和设备结构的研究，丝印面板定制， 而这些理论却往往是人相径庭的。 但是， 有一条***基本的原则已被公认并经化学机理分析 证实﹐就是尽速让金属表面不断地接触新鲜的蚀刻液。 在氨性蚀刻中﹐假定所有参数不变 ﹐那么蚀刻的速率将主要由蚀刻液中的氨（NH3）来决定。因此， 使用新鲜溶液与蚀刻表面 相互作用﹐其主要目的有两个﹕冲掉刚产生的铜离子及不断为进行反应供应所需要的氨 （NH3）。
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