高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入气体和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面，以及靶源表面。从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。冷却是一切源（磁控，多弧，离子）所必需，因为能量很大一部分转为热量，若无冷却或冷却不足，这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。

附着力反映了Al膜与基片之间的相互作用力，也是保证器件经久耐用的重要因素。真空镀膜设备溅射原子能量比蒸发原子能量高1-2个数量级。真空镀膜机高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转换比蒸发原子高得多，产生较高的热能，部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原了相互溶合的伪扩散层，而且，在真空镀膜设备成膜过程中基片始终在等离子区中被清洗，清除了附着力不强的溅射原子，净化且基片表面，增强了溅射原子与基片的附着力，因而溅射Al膜与基片的附着力较高。

真空镀膜设备镀膜过程的均匀性到底多重要？厚度均匀性主要取决于：1、基片材料与靶材的晶格匹配程度；2、基片表面温度；3、蒸发功率，速率；4、真空度；5、镀膜时间，厚度大小。组分均匀性：蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。晶向均匀性：1、晶格匹配度;2、基片温度;3、蒸发速率.对于不同的溅射材料和基片，参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否控温，能否保证好的真空度，能否保证好的真空腔清洁度。MBE分子束外沿镀膜技术，已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。