因此现在市面上有多功能离子真空镀膜机的出现，通过大量试验及工业化应用，本项目得出以下结论：

（1）所设计的多种镀膜技术复合的多功能离子镀膜机是成功的。

（2）该设备可大面积低成本制备表面光洁致密、平滑细腻，性能优异的类金刚石膜及金属氮（或碳）化物多元多层膜。

（3）采用特殊的多层梯度中间过渡层及掺杂技术，降低了内应力，提高了膜/基结合力，有利于膜层生长（***厚达6mm）。

（4）所制备DLC膜具有优异的综合性能：硬度gt;20GPa（高达37.25GPa），厚度可调（***厚达6mm），膜/基结合力gt;50N（高达100N），摩擦系数lt;0.2，膜层光洁细腻。

（5）所开发出的基体/Cr/CrN/CrTiAlN/CrTiAlCN/CrTiC/DLC多元多层耐磨耐热自润滑涂层具有良好的综合性能：硬度高达28.7GPa，厚度1-4mm可调，膜/基结合力大于70N，摩擦系数小于0.2。

（6）所研制的耐磨减摩膜已成功应用于多种高精密工模具以及精密关键部件上。应用结果表明：膜层的表面强化效果显著，可大幅度提高产品质量及使用寿命。

影响离子镀膜层质量的工艺参数

①基片偏压.

离子镀膜基片施加负偏压后；各种离子和高能中性粒子流以较高的能量轰击基片表面．基片负偏压的提高，会使基片表面获得更高的能量，可能形成伪扩散层，提高膜层与基体的附着力，还可以改变膜层的***、结构和性能，如细化晶粒，图2表明，随着基片负偏压的提高，膜层***变细，但是，基片负偏压的提高也会产生一些不利的影响，如反溅射作用的增加，使膜层表面受到刻蚀，使表面光洁程度降低，图3表明了空心阴极离子镀铬时，基片负偏压对铬膜表面光泽度的影响，基片负偏压的提高还会使沉积速率降低，使基片温度升高，图4表明了电弧离子镀tin膜基片负偏压对沉积速率的影响，因此，应根据不同的离子镀方法、不同的膜层及使用要求选择适当的基片负偏压。

②镀膜真空度和反应气体分压.

离子镀膜真空度对膜层***、性能的影响与真空蒸镀时的影响规律相似，但反应气体分压对反应离子镀镀制化合物膜的成分、结构和性能有直接的影响，图5是hcd离子镀tin膜的硬度与氮气分压的关系，因此反应气体的分压应根据离子镀方法，化合物膜层的成分、性质、使用要求以及设备来选择

③基片温度.

离子镀膜基片温度的高低直接影响着膜层的***、结构和性能。一般情况下，温度的升高有利于提高膜层与基片的附着力，有利于改善膜层的***与性能。但是，温度过高，则会使沉积速率降低，有时还会使膜层晶粒粗大，性能变坏；图6中hcd离子镀铬膜显微硬度受基片温度影响的规律。另外，基片温度的选择还要受基片材料性质的限制，如钢材的回火温度等

④蒸发源功率．

蒸发源功率对蒸发速率有直接的影响，进而影响沉积速率，影响膜层的***、性能，对反应沉积化合膜时蒸发源功率也将影响膜层的成分。

为了获得所需性能的膜层，应综合分析、考虑各种因素，迭择镀膜方法和确定合理的镀膜工艺参数。

PVD真空镀膜机镀膜工艺原理

PVD即物***相沉积，分为：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜和真空溅射镀；通常说的NCVM镀膜，就是指真空蒸发镀膜。PVD真空镀膜机镀膜工艺原理分为以下三种情况：

（1）真空蒸镀基本原理：在真空条件下，使金属、金属合金等蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，电子束轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，真空蒸镀是PVD法中使用早的技术。

（2）溅射镀膜基本原理：充Ar（Ar）气的真空条件下，使Ar气进行辉光放电，这时Ar（Ar）原子电离成Ar离子（Ar），Ar离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。溅射镀膜中的入射离子，一般采用辉光放电获得，在l0-2Pa～10Pa范围，所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中，易和真空室中的气体分子发生碰撞，使运动方向随机，沉积的膜易于均匀。

（3）离子镀基本原理：在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。