要求加工家电发热电阻
作者:厚博电子2020/8/13 9:01:25











要求加工节气门位置传感器电阻片

3 电阻设计

(1)阻值范围和方阻:

阻值范围:1Ω/--□--1MΩ/□ ,低于1Ω/□的电阻,可以用钯-银浆料作低 阻材料,其方阻为0.015Ω/□。为了设计规范化,采用1系列的方阻,即: 1Ω/□,100Ω/□,1KΩ/□,10KΩ/□,100KΩ/□,1MΩ/□等7种浆料, 供设计使用。

(2)设计值即靶值的选择:

一般选择80%的标称值。

(3)对于各种几何图形的电阻,靶值选择原则:

就钯—银端头而论:

长∶宽≤1/3的电阻 目标值为70~75%标称值

长∶宽=0.8~1.2的电阻 目标值为80~90%标称值

长∶宽=1.3~2.5的电阻 目标值为80%标称值

长∶宽=2.8~3.5或更大的电阻 目标值为70~75%标称值

对于金端头,相应减少5%,也就是说,金端头的阻值比钯—银阻值高5%左右。

(4)功率电阻的设计

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对于1/8W以上的功率电阻,结构形式如图5:


 磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。

种类

  磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电子交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击***气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

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  靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高,但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率,可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源。


前置发动机,即发动机位前轮轴之前。前置发动机的优点是简化了车子变速器与驱动桥的结构,特别是对于目前占主流的前轮驱动车型而言,发动机将动力直接输送到前轮上,省略了长长的传动轴,不但减少了功率传递损耗,也大大降低了动力传动机构的复杂性和故障率。

另外,将发动机置驾驶员的前方,在正面撞车时,发动机可以保护驾驶员免受冲击,从而提高了车的安全性。

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