电阻式应变式压力传感器是由电阻应变片组成的丈量电路和弹性的敏感元件组合起来的传感器，当弹性的敏感元件受到外界压力作用时，将发生应变，粘贴在表面的电阻应变片也会发生应变，电阻值会发生改变，这样弹性体的变形转化为电阻应变片阻值的改变。

一般来说，把4个电阻应变片按照桥路方式连接，两输入端施加一定的电压值，两输出端输出的共模电压跟着桥路上电阻阻值的改变添加或许减小，这种改变的对应联系具有近似线性的联系，找到压力改变和输出共模电压改变的对应联系，就可以通过丈量共模电压得到压力值。

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压力传感器硬件零点补偿办法：对压力传感器而言，硬件补偿办法有在桥臂上串、并联恰当恒定电阻法，桥臂热敏电阻补偿法，桥外串、并联热敏电阻补偿法，双电桥补偿技能、三极管补偿技能等。

压力传感器多项式拟合规范化法：由于在实际测量中，压力传感器所测量的温度、压力等物理量不会与输出值是严格的线性关系，因此其函数关系常常是多项式形式，压阻式压力传感器，多项式可用于非线性信号的拟合，关键在于求解其各项系数。

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SOI高温压力传感器的发展首要依托SOI资料的兴起，SOI即绝缘体上硅，首要指以SiO2为绝缘层预埋在Si衬底层和Si顶层器材层中心形成的半导体资料，SOI的特别结构使得器材层与衬底层之间实现了绝缘，消除了体硅中常见的门闩效应，提高了器材的可靠性，另外因为SOI器材层的高温特性使得其成为制备高温压力传感器的抱负资料。

从原理上讲，SOI高温压力传感器首要使用的是单晶硅的压阻效应，压阻式压力传感器加工厂，当力作用于硅晶体上，晶体的晶格发生形变，从而导致载流子的迁移率发生变化，使得硅晶体的电阻率发生变化，通过在SOI顶层器材层的特定方向刻蚀出4个压敏电阻，构成惠斯通电桥，在SOI的衬底层刻蚀出压力背腔，从而形成压力敏感结构。

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