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PL51WT020特性

射频RF

低功耗高性能2.4GHz RF无线射频收发SOC

无线速率：1Mbps

内置硬件链路层

内置接收强度检测电路

支持自动应答及自动重发功能

内置地址及FEC、CRC校验功能

极短的信道切换时间，可用于跳频

内置12MHz RF晶振两端电阻、电容

内置ANT、ANTB天线端10K下拉电阻

使用微带线电感和双层PCB板

基本特性

单周期8位ET8051 CPU内核

集成9 4（移位）触摸按键功能，无需增加外

接元件

工作频率@工作电压: ~4MHz@2.0~3.6V；

~8MHz@2.4~3.6V；~12MHz@2.7~3.6V

工作频率：~12MHz

工作温度：-45℃ ~ 105℃

振荡器类型

外部晶体振荡器：400KHz ~ 12MHz

内部 RC 振荡器：4/8/12MHz (±2%) 和32KHz

外部时钟：400KHz ~ 12MHz

多达15个双向通用I/O口仅作为输入端，具有上拉电阻

推挽输出驱动能力：10mA (@3V， 总电流lt;100mA)

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ASEMI MCU 是以1T 8051 为核心的8 位单片机，PL1167摄像头IC，可运行至20Mhz，PL1167电源IC厂家，具有4K/8K/16K字节内建Flash 程序存储器、256 1K 字节的SRAM、256 字节的EEPROM、4K ROM（ISP 应用）等，PL1167，以及GPIOs、UART、SPI、I2C、定时器、ADC、触控按键（T.K.）、温度传感器（T.S.）、DAC、运算放大器（OPA）、模拟比较器（COMP.）、PWM、PLL、看门狗、低压复位和欠压检测等功能。

关键特性：车规级（-40°-125°C ）、低待机、强抗干扰、强保密（IC 卡级）。

主要应用：智能家居、小家电、智能照明、电机驱动、电动工具、触摸按键、汽车遥控、PD、QC、电池管理等。

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PL3369B 为小功率的充电器/适配器应用提供了很 有效的解决方案，其新颖的恒流/恒压控制使得系统 不需要次级反馈电路，并能实现高精度的恒流/恒压 输出，从而满足更严格的能源损耗要求。

PL3369B 内置了多种保护功能，PL1167监控IC，包括：逐周期限流 保护，VDD 过压/欠压保护，输出开/短路保护，过 温保护等。 当 PL3369B 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON)，芯片 将不工作，同时会进入重启状态。

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