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摘要 : 前面ASEMI半导体给大家介绍过很多关于我们整流桥和肖特基产品的芯片来源和材质，芯片在制作过程中有一个环节非常重要，这也是***后一个环节，那就是芯片测试。

前面ASEMI半导体给大家介绍过很多关于我们整流桥和肖特基产品的芯片来源和材质，芯片在制作过程中有一个环节非常重要，这也是***后一个环节，那就是芯片测试。

半导体的晶圆制程中，关于芯片的测试，其目的是为了快速了解它的体质，分出芯片的等级，那些属于质量不过关需要淘汰的，那些可以进一步加工的。

一般来说，类似ASEMI半导体这种品牌较大的半导体企业，每天制造的芯片达上万个，测试的压力是非常大。先出来的都是一块完整的圆形状晶圆片，然后进行切割从而形成芯片。以ASEMI半导体整流桥为例，芯片从晶圆中出来后，就会进入WaferTest的阶段。这个阶段的测试ASEMI半导体是采用台湾KK设备--—健鼎一体化测试线来进行测试的，把芯片分成好的/坏的这两部分，坏的会直接被舍弃，如果这个阶段坏片过多，基本会认为是晶圆自身的良品率低下。

通过了WaferTest的阶段之后，完整的晶圆就会开始切割环节，切割后的芯片按照之前的结果分类。以ASEMI半导体为例，只有好的芯片会被送去封装厂封装。

封装之后，芯片会被送去进行FinalTest。在FinalTest后，还需要分类，刻字，检查封装，包装等步骤。然后就可以出货到市场。

在FinalTest中可能出现这些现象：

1.虽然通过了WaferTest，但是芯片仍然是坏的。

2.封装损坏。

3.芯片部分损坏。　　

4.芯片是好的，没有故障

ASEMI半导体解惑环节

1、为什么要进行芯片测试？

芯片复杂度越来越高，为了保证出厂的芯片没有问题，需要在出厂前进行测试以确保功能完整性等。

2、芯片测试在什么环节进行？

芯片测试实际上是一个比较大的范畴，一般是从测试的对象上分为wafertest和finaltest，对象分别是尚未进行封装的芯片，和已经封装好的芯片。

3、一般的芯片测试都包含哪些测试类型？

一般来说，包括引脚连通性测试，漏电流测试等，根据芯片类型还会有一些其他的测试。一般来讲，US1M高品质二极管，首先会做的是连通性测试，我们称之为continuitytest。这是检查每个引脚的连通性是否正常。

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摘要 : ASEMI半导体***知识***放送：电感器、变压器检测方法。有关注我们A***EI半导体网站及微信平台的您应该记得，前不久我们跟大家分享了关于电阻器，电容器的检测方法，而今天***出场

ASEMI半导体***知识***放送：电感器、变压器检测方法。有关注我们A***EI半导体网站及微信平台的您应该记得，前不久我们跟大家分享了关于电阻器，电容器的检测方法，而今天***出场的，则是电感器和变压器的检测方法…　

按照ASEMI半导体的老规矩，我们还是从***常见的色码电感器开始说起，同样的，还是使用万用表，将表调整在R×1挡，可以不分正负极，选择将两个表笔接在您需要测试的电感器两个引出端。如果出现了电阻值是零的情况，则可以很肯定的告诉您，这个色码电感器内部一定存在短路性故障。另外一种情况是就是电阻值是有读值的情况，因为色码电感器比较特殊，它的直流电阻值的大小和绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，就可认为是正常的。

说完了电感器，ASEMI半导体接下来要和您探讨的，就是变压器的检测。变压器的检测我们分为两种：中周变压器和电源变压器。

1.中周变压器的检测

　　A、将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。

　　B、检测绝缘性能将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试：

　　(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值；阻值为无穷大：正常；

　　(2)初级绕组与外壳之间的电阻值；阻值为零：有短路性故障；

　　(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。

2.电源变压器的检测

　绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。

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摘要 : 整流二极管分为点接触型和面接触型。因为大部分电子产品通过的电流都比较大，所以整流二极管也常用面接触型封装。可是，从小功率到大功率电源，怎样才能将整流二极管的损耗降到较低值呢？

整流二极管是市场上电子产品的主要构成部分，是一种常见的电子元器件。整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。

整流二极管分为点接触型和面接触型。因为大部分电子产品通过的电流都比较大，所以整流二极管也常用面接触型封装。

整流二极管需要介绍的参数很多，这里咱们着重讲解“正向平均整流电流”，高品质二极管，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。这个参数是整流二极管的主要参数，也是常用给的选择整流二极管的主要依据。但是***人士都知道，整流二极管在电源损耗方面有一个大难题：从小功率到大功率电源，怎样才能将整流二极管的损耗降到较低值呢?

步要讲的就是计算设计RC sunbber。RC吸收的本质是转移损耗，因为电容两端的电压做不到突变，所以我们可以采用***电压尖峰的放法。

调试方法如下，先测量振荡波形，读出振荡频率，然后加C，使振荡频率减半，再计算电路的寄生电容、电感，M7高品质二极管，***后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小，或直接接电阻试验，直到振荡基本消失为准。

对于RC是否是纯粹的转移效率，已经经过实验证明，RC参数不合理会降低效率，而合理的RC反而能提升效率。当RC不合理时，很大几率是C或者R的选取出现了问题。C越大，SS34高品质二极管，会带来越大的损耗，而且当R阻尼不够时，反而会引起严重震荡。但是C太小，吸收尖峰的能力却不够。所以我们只能采用测量加计算，再调试的办法。是个折中的选择。

比较通用简单的设计办法是：在没有加吸收之前，测试震荡频率，假如频率是f，那么开始并电容，并了电容震荡频率自然下降，那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半，就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数，电感L。***后取R=(L/C)开根号。

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