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铜-钼铜-铜、铜-钼-铜：CPC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案。

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铜钼铜复合材料具有良好的导电导热性及综合力学性能等优点，在高能电子器件、导罩等领域具有广阔的应用前景。然而目前铜钼铜复合材料中钼主要以颗粒状的形式存在，限制了钼高强性能的发挥。本文采用造孔剂法结合液相熔渗的方法制备出三维连通网状结构铜钼铜复合材料(Mo/Cu IPCs)。

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铜钼铜材料属于金属基平面层状复合型电子封装材料，这类电子封装复合材料的结构是层叠式，一般分为三层，中间层为低膨胀材料层，两边为高导电导热的材料层，当然，也有两层，或者四层复合层板。生产工艺一般采用轧制复合，电镀复合，成形等方法加工制备的，这类材料在平面方向有很好的热导率和较低的膨胀系数，并且基本上不存在致密问题，此外，这种材料加工成本比较低，例如可以成卷的连续轧制复合生产Cu/Invar/Cu复合板材，能够大大降低生产成本，还可加工成70um箔材，可以广泛的应用于PCB的芯层和引线框架材料。

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