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不同的钨铜底座由模具压制成采用不同的技术工艺。性能比高的使用基线和高纯度铜160-W/mK的性能的钨铜材料（导热=398 w /MK) 。基于热阻减少， 19.1%的改善，将得到200-W/mK材料。功能梯度为320-w/mK材料约47.54% ，提供了56.88% ，超过标准的改善与材料在结温也相应减少。使用功能梯度材料（功能梯度材料）技术的发展推动了铜/钨大约320 w / mK的热导率水平的性能信封。这种性能水平相比于铜的导热性能。这些导热性能的常见的使用方案即为钨与铜的材料。

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钨铜主要性能要求是耐电弧烧蚀、抗熔焊、截止电流小、含气量少、热电子发射能力低等。除常规宏观性能要求外，还要求气孔率，微观***性能，故要采取特殊工艺，需真空脱气、真空熔渗等复杂工艺。

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钨铜电子封装材料 W-Cu电子封装材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的W-Cu电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；的引线框架；军和民用的热控装置的热控板和散热器等。 优点：具有与不同基体相匹配的热膨胀系数及高的热导率；优良的高温稳定性及均一性；优良的加工性能。

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