腐刻、不锈钢、铝板蚀刻、金属、喇叭网蚀刻、五金、标牌、铭牌、汽车配件、迎宾踏板、logo、工艺品、书签、过滤网、茶壶网、铜材、铁料、榨汁网、补强钢片等高铁站台警示牌蚀刻喷漆加工
蚀刻加工
材料材质:
SUS304不锈钢/铜/铝/铁
材料厚度(公制):
0.03-1.0mm
产品用途:
蚀刻加工 主要应用于精密工程，电子，通讯，家电行业,工艺礼品
产品特点:
蚀刻加工线条均均，***剌，无缺口
产品价格:
以材料材质、厚度、精度要求、量产数量综合核定
蚀刻加工能力:
三条蚀刻生产线，25米蚀刻机可大批量生产，每天生产高达1000平方米
样品提供:
付费打样，样品3天内，***快24小时出样！
批量生产时间:
正常一星期内.
通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印步骤简单，因此常被使用。但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。边缘剥离乃由于蚀刻溶液的侵蚀，造成光阻与基材间的黏着性变差所致。解决的方法则可使用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龟裂则是因为光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可利用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。蚀刻化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。
本发明的蚀刻剂的刻蚀方法为：将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝 印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘 箱内烘烤，其温度为6(TC±2,时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清 水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。 由于采取上述技术方案，使本发明技术与已有技术相比具有如下 优点及效果： 本发明的蚀刻剂具有溶解速度快、蚀刻线条清晰，外观整洁， 一致性好，不损伤导电膜，不污染导电膜表面，从而可提高电子产品的 质量和性能； 蚀剂剂组方筒单，配方合理科学，产品成本低，气味小，污 染小；
酸性氯化铜蚀刻液 1) 蚀刻机理： Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影响蚀刻速率的因素：影响蚀刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蚀刻液的温度等。 a、Cl-含量的影响：溶液中氯离子浓度与蚀刻速率有着密切的关系，当盐酸浓度升高时，蚀刻时间减少。在含有6N的HCl溶液中蚀刻时间至少是在水溶液里的1/3，并且能够提高溶铜量。但是，盐酸浓度不可超过6N，高于6N盐酸的挥发量大且对设备腐蚀，并且随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蚀刻速率的原因是：在氯化铜溶液中发生铜的蚀刻反应时，生成的Cu2Cl2不易溶于水，则在铜的表面形成一层氯化亚铜膜，这种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的Cl-能与Cu2Cl2络合形成可溶性的络离子(CuCl3)2-，从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率。 b、Cu+含量的影响：根据蚀刻反应机理，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会显著的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。 c、Cu2+含量的影响：溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下，溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时，蚀刻速率较低；在2mol/L时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时，蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率，必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。 d、温度对蚀刻速率的影响：随着温度的升高，蚀刻速率加快，但是温度也不宜过高，一般控制在45~55℃范围内。温度太高会引起HCl过多地挥发，造成溶液组分比例失调。另外，如果蚀刻液温度过高，某些抗蚀层会被损坏。
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