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CMOS工艺制造过程
⒈。CMOS工艺
CMOS工艺采用轻掺杂的N型衬底制备PMOS器件。为了做出N型器件,必须先在N型衬底上做出P肼,在p肼内制造NMOS器件。
典型的P肼硅栅CMOS工艺从衬底清洗到中间测试,车载摄像头模组,总共50多道工序,需要5次离子注入,连同刻钝化窗口,共10次光刻。下面结合主要工艺流程来介绍P肼硅栅CMOS集成电路中元件的形成过程。
⑴光1——光刻肼区,刻出肼区注入孔。
⑵肼区注入及推进,形成肼区。
⑶去除SiO2,长薄氧,长Si3N4
⑷光2——反刻有源区(光刻场区),反刻出P管、N管的源、漏和栅区。
⑸光3——光刻N管场区,刻去N管区上的胶,露出N管场区注入孔。N管场区注入,以提高场开启,减 少闩锁效应及改善肼的接触。
⑹长场氧化层,出去Si3N4,再飘去薄的SiO2,然后长栅氧化层。
⑺光4——光刻P管区。p管区注入,调节PMOS管的开启电压,然后长多晶硅。
⑻光5——反刻多晶硅,形成多晶硅栅及多晶硅电阻。
⑼光6——光刻P 区,刻去P管及其他P 区上的胶。P 区注入,形成PMOS管的源、漏区及P 保护环。
⑽光7——光刻N 区,刻去N 区上的胶。N 区注入,形成NMOS管的源、漏区及N 保护环。
⑾长PSG
⑿光8——光刻引线孔。可在生长磷硅玻璃后先开一次孔,usb摄像头模组,然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔。
⒀光9——反刻铝引线。
⒁ 光10——光刻压焊块。
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人脸识别参考文献
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6 楼顺天.是基于Matlab7.x 的系统分析与设计.西安电子科技大学,2002
7孙洪.数字信号处理.电子工业出版社,2001
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CMOS逻辑电路具有以下优点:
1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多
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