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作者:一念间数码2020/4/7 6:32:08
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CMOS工艺制造过程

⒈。CMOS工艺

CMOS工艺采用轻掺杂的N型衬底制备PMOS器件。为了做出N型器件,必须先在N型衬底上做出P肼,在p肼内制造NMOS器件。

典型的P肼硅栅CMOS工艺从衬底清洗到中间测试,车载摄像头模组,总共50多道工序,需要5次离子注入,连同刻钝化窗口,共10次光刻。下面结合主要工艺流程来介绍P肼硅栅CMOS集成电路中元件的形成过程。

⑴光1——光刻肼区,刻出肼区注入孔。

⑵肼区注入及推进,形成肼区。

⑶去除SiO2,长薄氧,长Si3N4

⑷光2——反刻有源区(光刻场区),反刻出P管、N管的源、漏和栅区。

⑸光3——光刻N管场区,刻去N管区上的胶,露出N管场区注入孔。N管场区注入,以提高场开启,减 少闩锁效应及改善肼的接触。

⑹长场氧化层,出去Si3N4,再飘去薄的SiO2,然后长栅氧化层。

⑺光4——光刻P管区。p管区注入,调节PMOS管的开启电压,然后长多晶硅。

⑻光5——反刻多晶硅,形成多晶硅栅及多晶硅电阻。

⑼光6——光刻P 区,刻去P管及其他P 区上的胶。P 区注入,形成PMOS管的源、漏区及P 保护环。

⑽光7——光刻N 区,刻去N 区上的胶。N 区注入,形成NMOS管的源、漏区及N 保护环。

⑾长PSG

⑿光8——光刻引线孔。可在生长磷硅玻璃后先开一次孔,usb摄像头模组,然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔。

⒀光9——反刻铝引线。

⒁ 光10——光刻压焊块。









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人脸识别参考文献


1 黄文梅,熊佳林,杨勇编著.信号分析与处理——MATALB语言及应用.国防科技大学出版社,2000

2 钱同惠编著.数字信号处理.北京:机械工业出版社,监控摄像头模组,2004

3 姚天任,江太辉编著.数字信号处理.第2版.武汉:武汉理工大学出版社,2000

4 谢平,林洪彬,王娜.信号处理原理及应用.机械工业出版社,2004

5 刘敏,魏玲.Matlab.通信与应用.国防工业出版社,2005

6 楼顺天.是基于Matlab7.x 的系统分析与设计.西安电子科技大学,2002

7孙洪.数字信号处理.电子工业出版社,2001




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CMOS逻辑电路具有以下优点:

1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计

2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强

3、静态功耗低

4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多




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