NVGS3443T1G表面贴装P沟道金属氧化物场效应晶体管
作者:2019/8/23 7:53:06

深圳市星际金华大量货源供应NVGS3443T1G表面贴装P沟道金属氧化物场效应晶体管

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描述
汽车功率MOSFET。-20V,-2A,65 mOhm,单P沟道,TSOP-6,逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP适用于汽车应用。
 
特征
超低R DS(开)
更高的效率延长电池寿命
微型TSOP-6表面贴装封装
这些器件是无铅的,符合RoHS标准
汽车和其他应用所需的NVGS前缀
独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101
合格且有PPAP能力
 
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 *** On(***大值) 65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(***大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(***大值) 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(***大值) 565pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散(***大值) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6
 
应用
便携式和电池供电产品的电源管理,
即:蜂窝电话和无绳电话,以及PCMCIA卡 

商户名称:深圳市星际金华实业有限公司

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