星际金华电子热销IPW65R080CFDA N沟道金属氧化物场效应晶体管 100%全新*** 现货出售
型号IPW65R080CFDA 品牌英飞凌 年份18+ 封装TO-247-3
产品规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43.3A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 80 毫欧 @ 17.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 161nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 4440pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 391W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
一般信息
数据列表 IPW65R080CFDA;
标准包装 240
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 汽车级，AEC-Q101，CoolMOS™
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