通常金属(如Au、Ag、Cu、Al、Mg 等)均具有较高的导热性，但均为导体，无法用作绝缘材料，而部分无机非金属材料，如金属氧化物A12O3、MgO、ZnO、NiO，金属氮化物AlN、Si3N4、BN，以及SiC 陶瓷等既具有高导热性，同时也具有优良的绝缘性能、力学性能、耐高温性能、耐化学腐蚀性能等，因此被广泛用作电机、电器、微电子领域中的高散热界面材料及封装材料等。

陶瓷封装具有耐热性好、不易产生裂纹、热冲击后不产生损伤、机械强度高、热膨胀系数小、电绝缘性能高、热导率高、高频特性、化学稳定性高、气密性好等优点，适用于航空航天、军事工程所要求的高可靠、高频、耐高温、气密性强的产品封装。由于陶瓷材料所具有的良好的综合性能，使其广泛用于混合集成电路和多芯片模组。在要求高密封的场合，可选用陶瓷封装。国外的陶瓷封装材料以日本居首，日本占据了美国陶瓷封装市场的90%～

95%，并且占美国国防( ***) 陶瓷封装市场的95%～98%。传统的陶瓷封装材料是Al2O3陶瓷，具有良好的绝缘性、化学稳定性和力学性能，掺杂某些物质可满足特殊封装的要求，且价格低廉，是目前主要的陶瓷封装材料。SiC 的热导率很高，是A12O3的十几倍，热膨胀系数也低于A12O3和AlN，但是SiC 的介电常数过高，所以仅适用于密度较低的封装。AlN陶瓷是被国内外******为看好的封装材料，具有与SiC 相接近的高热导率，热膨胀系数低于A12O3，断裂强度大于A12O3，维氏硬度是A12O3的一半，与A12O3 相比，AlN 的低密度可使重量降低20%，因此AlN 封装材料引起国内外封装界越来越广泛的重视。