根据每个存储单元能够储存的信息量，NAND闪存目前主要分为三类：SLC、MLC、TLC。

NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个存储单元内，SLC、MLC及TLC根据存储位数的不同进行定义。

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单层存储与多层存储的区别在于每个NAND存储单元一次所能存储的“位元数”。SLC（Single-Level Cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，MLC（Multi-Level Cell）可储存2bit数据，TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。

一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本。但随之而来的是，向每个单元存储单元中加入更多的数据会使得状态难以辨别，并且可靠性、耐用性和性能都会降低。

闪存的类型各自有优缺点，SSD如何在SLC、MLC、TLC之间做出选择，会随着技术的进步和成本的降低逐渐打破格局。对于目前消费市场而言，TLC固态硬盘已在性能、耐久、寿命、价格上不断发力，并逐渐达到市场用户的期待水平，其将会成为下一代固态硬盘热门产品。