所谓“一代材料、一代器件、一代系统”。氮化***（GaN）基电子材料作为新一代高性能材料，是发展氮化***基微波功率器件和电力电子器件的核心技术， 是推动我国新一代信息产业的重要机遇。***半导体研究所在蓝宝石衬底和碳化硅（SiC）衬底上研制的GaN基电子材料，具有重大应用前景。

我国《中长期科技发展规划纲要》曾明确提出要掌握一批关系国计民生的核心技术，提升我国电子元器件领域的整体水平，保证国民经济建设健康发展。

目 前，国外在GaN基电子材料领域的研发特别是应用进展迅速，部分结构和型号规格的GaN基电子材料已形成产品，成功用于新一代微波功率器件和电力电子器件 的研制，并开始在相关信息产业上使用。但可喜的是，国际竞争尚未形成垄断，正是相关企业进入该产业***合适的“窗口期”。

***半导体研 究所是我国***早开展GaN基电子材料研发的单位。经过十多年的自主创新，研究所突破了GaN基电子材料设计和生长的关键科学技术问题，形成了系统的自主知 识产权，并具备了小批量供片能力。其设计的多种具有特色的AlGaN/GaN异质结构电子材料，利用***的金属有机化合***学气相沉淀（MOCVD）外延 生长技术研制出高性能的电子材料，攻克了蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻GaN外延材料、高迁移率GaN外 延材料、高迁移率和高铝组分Al－GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，取得了具有国内***水平、国际 ***水平、部分指标为国际***水平的研究成果。

利用研究所研制的GaN基电子材料，2000年8月合作研制成功了我国首支国产GaN基 HEMT器件，2004年7月合作研制成功我国***支国产X波段GaN基HEMT器件；2008年合作研制出国内***支SiC衬底上X波段GaN基单片集 成电路（MMIC）和具有***水平的X波段功率器件。截至目前已累计提供用户单位GaN基电子材料300片左右，强有力地支撑了GaN基功率器件和电 路在我国的发展。

为拓宽市场，该技术成果可根据实际情况以技术转让、***转让、风险***、许可使用、合作开发等各种模式进行转移转化。