金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。

1.电镀金工艺

1）.电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：

①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图形；③清洗后进行电镀金；④褪除光刻胶；⑤蚀刻图形以外的导电层；，⑥退火。

2).电镀金原理

　　镀金阳极一般采用铂金钛网材料。当电源加在铂金钛网(阳极)和硅片(阴极)之间时，溶液会产生电流，并形成电场。阳极发生氧化反应释放出电子，同时阴极得到电子发生还原反应。阴极附近的络合态金离子与电子结合，以金原子的形式沉积在硅片表面。镀液中的络合态金离子在外加电场的作用，向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度消耗，电镀的主要目的是在硅片上沉积一层致密、均匀、无孔洞、无缝隙、无其它缺陷的金。

 2.电镀金设备

　　 选择合适的电镀设备，将会获得较为满意的镀层。电镀设备可分为二类：水平喷流式杯镀和垂直挂镀两种方式。杯镀式将晶圆覆盖在一个杯状的镀槽上，电镀以一杯一片的方式进行。挂镀式则是将晶圆垂直浸入镀液中，一个镀槽可以同时进行多片电镀。杯镀式的电镀需注意气泡的去除，否则将会影响镀层厚度的全片均匀性。挂镀式则比较容易去除反应产生的气泡，但需注意倾斜镀层的产生。