SST25VF032B
，ST25VF512A,ST25VF080B,ST25Vf010A,ST25VF040B,ST25VF016B,系统中传送数据。对于引脚数目少的串行flash 来讲它的优势是减少了系统板的空间、功耗和成本。对于容量在512Kbit到16Mbit的25 系列串行flash来讲,它具有SPI接口和与工业标准的SPI串行EEPROM器件引脚对引脚 硬件兼容的特点。
 重要特征

操作电压：2.7-3.6V 或者 3.0-3.6V 读和写操作

4 线串行接口结构

具有wrap-around特点的连续字节读操作

低功耗 : 7mA(典型),待机：8uA(典型)

灵活的擦除能力 : 4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力

快速擦除时间：Sector-Erase或者Block-Erase:：18ms(典型)

字节编程：14us(典型)

***大操作时钟频率可达50MHz

对于快速计算有自动地址累加(AAI)编程

通过WP#引脚可实现硬件写保护

 

Device  　　　　Density 　　Voltage　 Clock speed (MHz)  　Packages 

SST25VF512  512Kb(64Kx8)  2.7-3.6V  　　20  　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF512A  512Kb(64Kx8)  2.7-3.6V  　33　 　　　 SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF010  1Mb(128Kx8)  2.7-3.6V  　20  　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF010A  1Mb(128Kx8)  2.7-3.6V 　 33 　 　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF020  2Mb(256Kx8)  2.7-3.6V 　　 20  　　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF020A  2Mb(256Kx8)  3.0-3.6V 　 33  　　　　SOIC-8(150mil),WSON-8 

SST25VF040  4Mb(512Kx8)  2.7-3.6V  　　20 　　 　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF040A  4Mb(512Kx8)  3.0-3.6V  　　33 　　　　 SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF040B  4Mb(512Kx8)  2.7-3.6V 　　 50  　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF080B  8Mb(1Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF016B  16Mb(2Mx8)  2.7-3.6V 　　 50  　　　　　SOIC-8(200mil),WSON-8 

SST25VF032B  32Mb(4Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　SOIC-8(200mil),SOIC-16(300mil) 

SST25VF064C  64Mb(8Mx8)  2.7-3.6V  　　50  　　　　　SOIC-16(300mil) 

SST25VF128C  128Mb(16Mx8)  2.7-3.6V 　　 50 　 　　　SOIC-16(300mil) 

联系电话:13006645581 周生   
  MSN:zxzic123@hotmail.com
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