***放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因***在地上走动磨擦或其他因素在***上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，***上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内，再经由电子元器件放电到地去，如图1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把电子元器件内的元件烧毁。 不同HBM静电电压相对产 生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。

图1(b)在不同HBM静电电压下，其静电放电之电流与时间的关系

 

       有关于HBM的ESD已有工业测试的标准，为现今各国用来判断IC之ESD可靠度的重要依据。图2显示此工业标准 (MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效电路图，其中***的 等效电容定为100pF，***的等效放电电阻定为1.5K Ω。另\外在国际电子工业标准(***/JEDEC STANDARD)中 ，亦对此***放电模式订定测试规范(***/JESD22-A114-A)，详细情形请参阅该工业标准。

 

 

表1***放电模式(HBM)的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类

 

CLASSIFICATION	Sensitivity
Class1	0 to 1,999Volts
Class2	2,000 to3,999 Volts
Class3	4,000 to15,999 Volts