退火炉

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退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

真空退火炉的炉台

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炉台车架横梁及纵梁均采用优质型钢和厚钢板侧护板组合焊接而成，车体膨胀伸缩缝设计合理，使车体在使用中具有的热形变，能更好的满足长工件的热处理加热。

炉台表面采用优质高温重质耐火砖砌筑，高温强度高，承载量大，车底采用高强度轻质保温砖砌筑，确保炉底外温度工作时不超过50℃。

真空退火炉的特点

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高精度智能温度程序控制系统，采用日本富士高精度PID智能程序控温仪表， 升温、保温程序可自行设定，可自动程序控制每区炉温工作情况；温度记录采用中长图有纸记录仪，可同步记录该炉每区炉温工作情况，该型式具有直观、方便和***性；

炉底与炉顶均对应设置测温控温点，把炉膛温度均衡性控制在允许范围内，减少马弗罐加热及冷却过程中的变形量，延长马弗罐使用寿命，方便操作。

本设备自动化程度高、工作运行安全可靠、寿命长、操作维修方便；

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