CS31 ICS016N1 FPR3313101R1052

CS31 ICS016N1 FPR3313101R1052 140CPU43412A 你值得拥有！！！
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CS31 ICS016N1 FPR3313101R1052  创新技术***行业发展
　　六十年以来，三菱电机之所以能够一直保持行业***地位在于持续性和创新性的研究与开发。
　　作为功率元器件的核心，IGBT芯片的重要性不言而喻。在功率半导体***新技术发展方面，三菱电机IGBT芯片技术一直在进步，第三代IGBT是平板型的构造，第四代IGBT是沟槽性的构造，第五代成为CSTBTTM，第六代是超薄化CSTBTTM，第七代IGBT构造更加微细化和超薄化的CSTBTTM。
　　从IGBT芯片的性能指数（FOM）上来看，第六代已比***代提高了16倍，第七代比***代提高了26倍。从封装技术来看，在小容量消费类DIPIPMTM产品中，三菱电机采用了压注模的封装方法。在中容量工业产品、电动汽车专用产品中，采用了盒式封装。而在大容量、特别是用在高铁上的产品中，采用了高性能的碳化***底板，然后再用盒式封装完成。
　　在量产供应的同时，三菱电机也在为下一个需求爆发点蓄势发力，大概在2022年左右，三菱电机将会考虑12英寸功率元器件产线的***。在Dr.Gourab Majumdar看来，2020-2022年，IGBT芯片市场将会有大幅的增长。
　　SiC作为下一代功率半导体的核心技术方向，与传统Si-IGBT模块相比， SiC功率模块***主要优势是开关损耗大幅减小。对于特定逆变器应用，这种优势可以减小逆变器尺寸，提高逆变器效率及增加开关频率。目前，基于SiC功率器件逆变设备的应用领域正在不断扩大。但受制于成本因素，目前SiC功率器件市场渗透率很低，随着技术进步，碳化硅成本将快速下降，未来将是功率半导体市场主***品。

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