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到1995年底，功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步，而用IGBT代替GTR在电力电子领域巳成定论。国外逆变焊机已可做到额定焊接电流300A，负载持续率60%，全载电压60~75V，电流调节范围5~300A，重量29kg。新型器件的发展不仅为交流电机变频调速提供了较高的频率，使其性能更加完善可靠，而且使现代电子技术不断向高频化发展。

因通信设备中所用集成电路的种类繁多，其电源电压也各不相同，在通信供电系统中采用高功率密度的高频DC-DC隔离电源模块，从中间母线电压(一般为48V直流)变换成所需的各种直流电压，这样可大大减小损耗、方便维护，且安装、增加非常方便。

通信电源的二次电源DC/DC变换器已商品化，模块采用高频PWM技术，开关频率在500kHz左右，功率密度为5W~20W/in3。随着大规模集成电路的发展，要求电源模块实现小型化，因此就要不断提高开关频率和采用新的电路拓扑结构。

此类薄膜线路一般是用银浆在PET上印刷线路。表面安装元器件在功能上和插装元器件没有差别，其不同之处在于元器件的封装。在此类薄膜线路上粘贴黏贴电子元器件有两种工艺工法，一种谓之传统工艺工法即3胶法(红胶、银胶、包封胶)或2胶法（银胶、包封胶)，另一种谓之新工艺即1胶法---顾名思义，就是用一种胶即可完成粘贴黏贴电子元器件，而不再用3种胶或2种胶。此新工艺关键是使用一种新型导电胶，完全具有锡膏的导电性能和工艺性能；使用时完全兼容现行的***T刷锡膏作业法，毋需添加任何设备。