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它由背后的钨丝所发射的电子轰击加热到 2700K,可有每平方厘米为几安的发射电流密度。电子枪加速电压约30千伏,这样容易防止电穿和减弱 X射线辐射,电子束用磁聚焦和磁偏转。
七十年代出现了世界范围的能源危机,交流电机变频调速因节能效果显著而迅速发展。变频调速的关键技术是将直流电逆变为0~100Hz的交流电。在七十年代到八十年代,随着变频调速装置的普及,大功率逆变用的晶闸管。
导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘门极双极晶体管(IGBT)的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。
无源器件主要包括单片陶瓷电容器、钽电容器和厚膜电阻器,外形为长方形或园柱形。园柱形无源器件称为“MELF”,采用再流焊时易发生滚动,需采用特殊焊盘设计,一般应避免使用。长方形无源器件称为“CHIP”片式元器件,它的体积小、重量轻、素冲击性和抗震性好、寄生损耗小,被广泛应用于各类电子产品中。为了获得良好的可焊性,必须选择镍底阻挡层的电镀。在此类薄膜线路上粘贴黏贴电子元器件有两种工艺工法,一种谓之传统工艺工法即3胶法(红胶、银胶、包封胶)或2胶法(银胶、包封胶),另一种谓之新工艺即1胶法---顾名思义,就是用一种胶即可完成粘贴黏贴电子元器件,而不再用3种胶或2种胶。
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