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同电子束焊接相比,电了束刻蚀、钻孔、切割所用的电子束功率密度更大而作用时间较短。电子束可在厚度为0.1~6毫米的任何材料的薄片上钻直径为1至几百微米的孔,能获得很大的深度-孔径比,例如在厚度为 0.3毫米的宝石轴承上钻直径为25微米的孔。
到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在电力电子领域巳成定论。优化控制策略,精选功能组件,是空调变频电源研制的进一步发展方向。新型器件的发展不仅为交流电机变频调速提供了较高的频率,使其性能更加完善可靠,而且使现代电子技术不断向高频化发展。
开关频率一般控制在50-100kHz范围内,实现***率和小型化。近几年,开关整流器的功率容量不断扩大,单机容量己从48V/12.5A、48V/20A扩大到48V/200A、48V/400A。
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