许多行业都需要能够在极端高温等恶劣环境下可靠工作的电子设备。依照传统做法，在设计需要在常温范围之外工作的电子设备时，工程师必须采用主动或被动冷却技术，但某些应用可能无法进行冷却，或是电子设备在高温下工作时更为有利，可提升系统可靠性或降低成本。这便提出了影响电子系统方方面面的诸多挑战，包括硅、封装、认证方法和设计技术。

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高温电阻率测试仪的特点

● TVS瞬间***防护技术： 光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理,对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到任何作用。华测***开 发的TVS瞬间***防护技术，将起到对控制系统的防护。

● 多级循环温度采集技术： 设备采用PID算法，以及多级循环温度采集以保证温度的有效值。控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都 是样品实际温度.

● 双系统互锁技术及隔离屏蔽技术： 本设备不仅具备过压、过流保护系统，它独有的双系统互锁机制，当任何元器件出现问题或单系统出现故障时，将瞬间切断 电源。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值 ，以及电流抗干扰的屏蔽。

● SPWM电子升压技术 目前进口设备大都采用SPWM电子升压技术，这一技术具有升压速度平稳，精度高。便于维护等优点是调压器无法比拟的。

● 测试电压***大可达到2000V 目前测试电阻率仪器***大测试电压为1000V。本设备***高测试电压可达 2000V。***大量程可测到17次

高温四探针测试仪广泛用于碳系导电材料、金属系导电材料、金属氧化物系导电材料、结构型高分子导电材料、复合导电材料等材料的电阻率测量。高温四探针测试仪过***的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线。

高温四探针测试仪测量系统，该系统可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻，该设备按照单晶硅物理测试方法***标准并参考美国A.S.T.M标准而设计的。

高温物性测定仪/界面接触角分析仪/影像式烧结点仪 型号；XK-TGW

高温物性测定仪 界面接触角分析仪 型号：XK-TGW 高温物性测定仪适用于测量造型材料 、金属、非金属材料烧结点温度、耐火度的一种高温透射投影装置。该仪器通过光学装置观察材料在加热过程中的体积收缩、膨胀、纯化、球化流展的情况，测定材料烧结范围及融熔温度范围等性能。高温物性测定仪主要技术参数 ：1、加热温度：***高可达1700℃。炉膛直径：30mm。2、加热速度：0-20℃/min 可调。2.5小时可达1700℃，也可根据需要调节。程序控温，智能PID调解，控温精度：1 ℃3、影像放大倍率：8～9倍。成像坐标可简易量化膨胀，收缩数据。4、存储温度图像***小间隔：1℃，可任意设定。5、CCD摄像头像素：≥300万像素。6、电源电压：220V±10%，2.5KW7、仪器配有标准计算机接口，可与通用计算机相连，配自主开发的软件，所有试验可由计算机控制，操作方便易学。8、图像处理软件具有图像存储、图像打印、界面接触角分析、收缩膨胀数据分析、历史数据查询等功能。9、试样尺寸：Ф6～Ф7×8 mm