LTCC基板电路概述

目前的集成封装技术主要有薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术以及LTCC技术。LTCC技术是一种低成本封装的解决方法，具有研制周期短的特点。低温共烧陶瓷技术可满足后者轻，薄，短，小的需求。然而，低温共烧陶瓷基板具有高硬度和易碎的特性。因此，当切割机切割硬基板，在基板和切割刀片之间会产生一个较大的摩擦力，该摩擦产生的应力转移到切割刀片。这会导致以LTCC为基板的电子产品合格率和产量的下降。因此，当陶瓷基板被切割加工时如何提高产品的得率是一个重要的课题。 图1为典型的LTCC基板示意图[3]，由此可知，采用LTCC工艺制作的基板具有可实现集成电路芯片封装、内埋置无源元件及高密度电路组装的功能。

LTCC基板微通孔的形成技术

微通孔形成是低温共烧陶瓷多层基板高密度互连中极为关键的工艺， 因为孔径大小、位置精度均将直接影响布线密度与基板质量。为了实现超高密度化， 通孔孔径应小于100μm。LTCC 生瓷带的微孔制作方法有: 机械冲孔和激光打孔。

机械冲孔

数控冲床冲孔是对生瓷带打孔的一种较好方法， 特别对定型产品来说， 冲孔更为有利。用冲床模具可一次冲出上千个孔， 其孔径可达50μm，打孔速度快、精度较高、适合于批量生产。在生瓷带上做出微通孔时， 需要一个与微通孔尺寸一致的冲头和一个冲模， 冲模的开口一般比冲头的直径大12.5μm，

LTCC基板排胶与烧结

实现零收缩的工艺有：自约束烧结，基板在自由共烧过程中呈现出自身***平面方向收缩的特性，该方法无需增设新设备，但材料系统，不能很好地满足制造不同性能产品的需要；压力辅助烧结，通过在Z 轴方向加压烧结，***X-Y 平面上的收缩；无压力辅助烧结，在叠层体材料间加入夹层（如在LTCC 烧结温度下不烧结的氧化铝），约束X 和Y 轴方向的移动，烧成后研磨掉上下面夹持用的氧化铝层；复合板共同压烧法，将生坯黏附于一金属板（如高机械强度的钼或钨等）进行烧结，以金属片的束缚作用降低生坯片X-Y 方向的收缩；陶瓷薄板与生坯片堆栈共同烧结法，陶瓷薄板作为基板的一部分，烧成后不必去除，也不存在***残留的隐忧。

5G频段数量的增加及天线有源化趋势对射频前端集成提出更高要求

由于5G相比4G将在更高频的频段C Band和毫米波上部署，而更高频率的信号就意味着更大的馈线损耗，因此，将天线与射频前端集成从而实现天线有源化就成为大势所趋，这一集成趋势在宏侧就体现为基于Massive MIMO的AAU，在室分侧就体现为由DAS向数字化室分的演进，在手机侧就体现为AiP（Antenna in Package）天线的诞生。