影响LaALO3晶体生长质量的主要因素如下几点:

(1)合适的温场,既要有生长趋动力,又要防止组份过冷。

(2)设置合适的提拉速度和旋转转速,确保平界面或微凸界面生长。

(3)保持下种放肩的连续性和平坦性,绝1对避免温度的波动。

(4)高纯度(≥99.9995）的原料是确保获得高质量晶体的基本保证。

标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装。

由于大尺寸 LaAlo3晶体生长后热应力和后期切割、研磨所产生的机械应力较大,加上晶棒的颜色较深。因此要消除上述因素,必须对晶体进行退火处理。因为LaAlO3单晶在微波渡段具有低的介电数和介电损耗,且对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,所以是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜的极1好衬底材料,长期以来是作为一种衬底材料进行研究。

铝酸镧（LaAlO3）晶体在常温下为三角晶系,其折射率椭球为旋转椭球。

LaAlO3晶体的熔点高,生长大尺寸φ80的LaAlo3晶体温度梯度一定要合适,既要保证晶体生长的驱动力,又要避免温度梯度过大,导致铱坩埚熔化。LaAlO3单晶的应用,取决于大尺寸LaAlO3晶体生长。LaAlO3晶体因其与超导、铁电、Mn氧化物巨磁电阻薄膜等有良好的晶格匹配性能,因而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料.

铝酸镧（LaAlO3）晶体的颜色与原料的纯度有着直接关系。若采用纯度≤99.9%原料或在生长过程中原料被污染,长出的晶体颜色较深,甚至是茶色。但采用高纯原料≥99.999%料时,长出的晶体呈浅***,且在真空气氛下退火,颜色更淡,近似白色。

技术参数：晶向：lt;100gt;、lt;110gt;、lt;111gt;；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。