氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，氧化锌晶体供应商，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，武汉氧化锌晶体，氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。

氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，氧化锌晶体厂家，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：透过范围：0.4-0.6 um gt; 50% at 2mm；晶向：lt;0001gt;、lt;11-20gt;、lt;10-10gt;±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底。

生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，以免遭受碱液的腐蚀。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。

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