对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：lt;001gt;±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。

在高温超导领域，氧化镁(MgO)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的价格优势，且性能良好。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：lt;100gt;；光学透过：gt;90%（200~400nm），gt;98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。

氧化镁晶体属于氧化镁产品中的产品，科技含量高，附加值大。因此高质量氧化镁晶体产品的研制和生产，对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。氧化镁（MgO）单晶是非常重要的基片材料和光学材料,在很多领域有重要的应用。