氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。因此，氧化锌晶体单晶衬底，可期待将其用作的发光器件材料。氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。纤锌矿结构在三者中稳定性高，因而常见。立方闪锌矿结构可由逐渐在表面生成氧化锌的方式获得。

氧化锌（ZnO）半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。诱人的应用前景和制备难度使得ZnO晶体的生长技术成为材料研究的热点。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，氧化锌晶体单晶价钱，具有纤锌矿结构，氧化锌晶体单晶，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景。

众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料，具有纤锌矿结构，在室温下具有较强的激光发射性能，在光学、电学、磁学、催化以及传感器等方面具有广阔的应用前景，特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发，为此，氧化锌晶体单晶供应商，各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。

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